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112年經濟部聯招-電路學.電子學

112年經濟部聯招-電路學.電子學經濟部聯招11260 分鐘50100
試題 1

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試題 2

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試題 3

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試題 4
有一電感器為 2 H,初始電流為 20 A,請問儲存於電感器中之初始能量為何?
  1. A100 J
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  2. B200 J
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  3. C 400 J
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  4. D800 J
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試題 5

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試題 6

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試題 7

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試題 8

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試題 9

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試題 10

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試題 11

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試題 12

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試題 13
有關理想的運算放大器,下列敘述何者有誤?
  1. A輸出電阻無限大
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  2. B開迴路增益無限大
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  3. C輸入電阻無限大
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  4. D輸出電阻為零
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試題 14
請問 RL 電路之時間常數(τ)為何?
  1. AL / R
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  2. BR / L
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  3. CR × L
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  4. DR + L
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試題 15

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試題 16

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試題 17

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試題 18

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試題 19

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試題 20

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試題 21

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試題 23

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試題 24

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試題 25

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試題 26
霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?
  1. A半導體內電流
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  2. B半導體型式(n或p)
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  3. C半導體內磁場
    尚無統計
  4. D半導體溫度
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試題 27

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試題 28
有關 PN 接面的二極體,下列敘述何者有誤?
  1. A矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
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  2. B二極體加順向偏壓後,空乏區變窄
    尚無統計
  3. C溫度上升時,障壁電壓上升
    尚無統計
  4. D溫度上升時,漏電流上升
    尚無統計

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試題 29

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試題 30
一般 BJT 電晶體作為線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(Operation Point)落在 下列何種區域,可獲得較佳之放大倍率?
  1. A作用區(Active Region)
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  2. B反向作用區(Reversed Active Region)
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  3. C截止區(Cut-off Region)
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  4. D飽和區(Saturation Region)
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試題 31

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試題 32
有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確?
  1. ABJT 製作面積比 FET 小
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  2. B一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大
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  3. CBJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件
    尚無統計
  4. DFET 不會發生爾利效應(Early Effect)
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試題 33
有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時,具最大散熱功率 PDO 為 2 W,最大接面溫度為 150 ℃,請問 當環境溫度上升至 50 ℃時,可安全散熱之最大功率為何?
  1. A 1.2 W
    尚無統計
  2. B1.6 W
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  3. C2 W
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  4. D2.4 W
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試題 34

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試題 35

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試題 36

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試題 39

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試題 40

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試題 41

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試題 42
請問下列多級放大器耦合類別中,最佳低頻響應為何?
  1. A電阻電容耦合
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  2. B直接耦合
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  3. C變壓器耦合
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  4. D電感耦合
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試題 43

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試題 44
有關負回授與非負回授運算放大器之比較,下列敘述何者有誤?
  1. A負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180°反相
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  2. B負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益
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  3. C負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗之目的
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  4. D負回授運算放大器可得到較大的頻寬
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試題 45

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試題 46

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試題 47

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試題 48

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試題 49
兩端輸入的 CMOS XOR 邏輯閘,至少需由多少顆電晶體組成?
  1. A3
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  2. B4
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  3. C6
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  4. D8
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試題 50
有關 CMOS 反相器(Inverter)之功率消耗,下列敘述何者有誤?
  1. A其動態功率消耗與頻率成正比
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  2. B其動態功率消耗與負載電容成正比
    尚無統計
  3. C其動態功率消耗與操作電壓一次方成正比
    尚無統計
  4. D切換過程可能形成導通電流之功率消耗
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C

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