113年台電招考-電子學

氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物，為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代 以形成 N 型半導體，可摻雜下列何種材料？

有關稽納二極體(Zener Diode)之敘述，下列何者有誤？

有一放大器之功率增益為 40 dB，電壓增益為 40 dB，試求電流增益為何？

有一全波整流器，輸入訊號為 60 Hz，輸出電壓峰值為 1.5 V，輸出負載為 5 kΩ 及漣波電壓限 制為 0.1 V，試求濾波電容為何？

有關箝位器功能之敘述，下列何者正確？

有一週期性方波信號，其正峰值電壓為 +8 V，負峰值電壓為 -4 V，此信號平均值為 +0.8 V， 試求工作週期(duty cycle)為何？

當 p-n 接面二極體的 p 端接電源的負極，n 端接電源的正極，下列何者正確？

有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？

雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，若 β 參數由 99 變化到 49，則 α 參數之變化為何？

有關理想運算放大器之敘述，下列何者有誤？

雙極性接面電晶體(BJT)可分為 NPN 型及 PNP 型，其基極(B)、集極(C)及射極(E)的摻雜濃度 由大至小依序排列，下列何者正確？

有關雙極性接面電晶體(BJT)之工作模式，下列敘述何者有誤？

有一矽二極體在溫度 90 ℃ 時，其逆向飽和電流為 192 nA，若溫度下降至 30 ℃ 時，試求逆向 飽和電流為何？

有一放大電路以中頻段增益為基準，有關其截止頻率之敘述，下列何者有誤？

截止頻率可分為低頻截止頻率點與高頻截止頻率點

有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較 ，下列何者有誤？

有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？

串級放大器相對於單級放大器，有關前者之增益與頻寬，下列敘述何者正確？

下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？

在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正 確？

有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？

有關振盪器之敘述，下列何者有誤？