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114年初考-電子學大意

114年初考-電子學大意初等考試11460 分鐘40100
試題 1
有關金氧半場效電晶體,在線性近似條件下,若元件的電場固定,當元件尺寸縮小 K 倍,則操作電 壓應為何?
  1. A增大為 K 倍
    尚無統計
  2. B降低為(1/K)倍
    尚無統計
  3. C增大為 K²倍
    尚無統計
  4. D降低為(1/K)²倍
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試題 2
假設矽二極體在 25℃時,其順向跨壓為 0.7 V,則當溫度上升至 65℃時,其順向跨壓約為何?
  1. A0.75 V
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  2. B0.7 V
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  3. C0.65 V
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  4. D0.6 V
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試題 3

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試題 4
純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後,其少數載子先後分別為電洞、電子?
  1. A硼、磷
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  2. B銦、磷
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  3. C砷、鎵
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  4. D鎵、銻
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試題 5
有關共集極放大電路之敘述,下列何者正確?
  1. A信號由集極輸入
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  2. B輸入電阻高
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  3. C射極電壓的平均值必為 0 V
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  4. D又稱為集極隨耦器
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試題 6

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試題 7

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試題 8
空乏型 MOSFET 不適合用於下列何者?
  1. A線性放大器
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  2. B壓控電感
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  3. C壓控電阻
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  4. D壓控電容
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試題 9
有關絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)之特性,下列何者正確?
  1. A輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體(MOSFET)相似
    尚無統計
  2. B輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體(BJT)相似
    尚無統計
  3. C輸入特性與金氧半場效電晶體(MOSFET)相似、輸出特性與雙極性接面電晶體(BJT)相似
    尚無統計
  4. D輸入特性與雙極性接面電晶體(BJT)相似、輸出特性與金氧半場效電晶體(MOSFET)相似
    尚無統計

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試題 10

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試題 11
有關負回授結構之運算放大器,下列敘述何者錯誤?
  1. A可控制電壓增益,呈現線性放大器的特性
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  2. B部分輸出回授至反相輸入端
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  3. C產生振盪輸出
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  4. D增加頻寬
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試題 12

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試題 13
當 15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器,則輸出電壓的頻率為下列何者?
  1. A7.5 Hz
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  2. B15 Hz
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  3. C30 Hz
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  4. D435 Hz
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試題 14
在全波整流器中,流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍?
  1. A1倍
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  2. B2倍
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  3. C0.5倍
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  4. D4倍
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試題 15
一個稽納二極體(Zener Diode)在 40℃時的最大功率額定值為 500 mW,衰減因數為 4 mW/℃。則 稽納二極體在 90℃時消耗的最大功率值為何?
  1. A100 mW
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  2. B150 mW
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  3. C200 mW
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  4. D300 mW
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試題 16

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試題 18
有一整流濾波器的直流濾波電壓為 20 V,漣波電壓的有效值為 0.4 V,則漣波因數為何?
  1. A1%
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  2. B2%
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  3. C3%
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  4. D4%
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試題 19

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試題 34
下列耦合型態之串級放大器電路,何者最適合 IC 積體電路化?
  1. A變壓器耦合
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  2. BRC 耦合
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  3. C電感耦合
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  4. D直接耦合
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試題 36
在變壓器耦合串級放大器中,耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應?
  1. A低中高頻段均不受影響
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  2. B高頻響應
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  3. C中頻響應
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  4. D低頻響應
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試題 39
下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件?
  1. A使用負回授電路結構
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  2. B維持振盪訊號的相位不變
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  3. C維持振盪訊號的振幅不變
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  4. D只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森(Barkhausen)準則
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試題 40

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