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114年經濟部聯招-普通化學.無機化學

114年經濟部聯招-普通化學.無機化學新進職員11490 分鐘50100
試題 1
有關電子填入軌域的敘述,下列何者正確?
  1. A電子應由低能階軌域依序填入高能階軌域
    尚無統計
  2. B電子填入軌域的順序完全隨機
    尚無統計
  3. C電子應先填入高能階軌域,再填入低能階軌域
    尚無統計
  4. D電子應先填滿外層再回填內層軌域
    尚無統計

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試題 2
根據罕德規則(Hund’s rule),在同一能量層的多個軌域上,電子應如何分配?
  1. A電子應先成對填入同一軌域,再填入其他軌域
    尚無統計
  2. B電子應先分別佔據不同軌域,且自旋方向相同
    尚無統計
  3. C電子應盡量使自旋方向不同,以降低能量
    尚無統計
  4. D電子應集中於一個軌域內,形成穩定配對
    尚無統計

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B

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試題 3
有關游離能(IE)與電子親和力(EA)的敘述,下列何者有誤?
  1. A同週期元素中,游離能通常隨原子序增加而增大
    尚無統計
  2. B氮的第一電子親和力小於氧,因半滿p 軌域較穩定
    尚無統計
  3. C鎂的第二游離能大於第一游離能
    尚無統計
  4. D鈉的第一游離能大於氟
    尚無統計

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D

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試題 4

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  1. AA
    尚無統計
  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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B

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試題 5
下列何者屬於放熱反應?
  1. A冰融化
    尚無統計
  2. BNaCl 溶於水
    尚無統計
  3. C水蒸氣凝結
    尚無統計
  4. DNH₄NO₃ 溶於水
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C

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試題 6

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  1. AA
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  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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C

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試題 7
某工廠利用海水電解產生次氯酸鈉(NaOCl),如海水中 NaCl 濃度為 0.5 M,電解電流為 10.0 A, 連續運轉 2.0 小時,假設電流效率為 100%,請計算理論可生成多少 mol 的NaOCl? (F = 96,500 C/mol)
  1. A0.187
    尚無統計
  2. B 0.373
    尚無統計
  3. C 0.559
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  4. D0.746
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B

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試題 8
下列哪種方式可以生成氯氣?
  1. AMnO2 加鹽酸
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  2. BAg 與濃硝酸反應
    尚無統計
  3. C電石與水反應
    尚無統計
  4. D碳酸鹽加酸
    尚無統計

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A

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試題 9
下列何者非屬影響反應速率常數k 的因素?
  1. A活化能
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  2. B溫度
    尚無統計
  3. C催化劑
    尚無統計
  4. D濃度
    尚無統計

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D

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試題 10
在熱化學中,下列何者非屬狀態函數?
  1. A
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  2. B壓力
    尚無統計
  3. C溫度
    尚無統計
  4. D體積
    尚無統計

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試題 11
在鐵鍍上下列何種金屬,可利用陰極保護法避免生鏽?
  1. A
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  2. B
    尚無統計
  3. C
    尚無統計
  4. D
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C

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試題 12
在錯合物構成中,下列何者非屬常見的配位基?
  1. ANH₃
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  2. BCH₄
    尚無統計
  3. CCO
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  4. DCl⁻
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B

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試題 13
在溫度為 80˚C下,A液體的蒸氣壓為 130 torr,B液體的蒸氣壓為 250 torr,理想溶液中含 5 mol A 及 3 mol B,請問此溶液在 80˚C時的蒸氣壓為多少 torr?
  1. A130
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  2. B175
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  3. C205
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  4. D5
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B

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試題 14
請問含有苯環的有機物分子式為C₈H₁₀,有幾種結構異構物?
  1. A2
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  2. B3
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  3. C4
    尚無統計
  4. D5
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C

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試題 15
有關醇類化合物反應的敘述,下列何者有誤?
  1. A與鈉反應時,醇的反應性為 1˚>2˚>3˚
    尚無統計
  2. B與鹵化氫反應可得鹵烷
    尚無統計
  3. C與硫酸反應可得烯類
    尚無統計
  4. D與斐林試液作用可得氧化亞銅紅色沉澱
    尚無統計

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D

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試題 16
有關錯合物系統命名規則的敘述,下列何者有誤?
  1. A錯離子的命名次序是先配位基,再中心金屬
    尚無統計
  2. B中心離子之氧化數以一羅馬數指示,外加括號,置於錯合物名稱之後
    尚無統計
  3. C錯合物若為鹽類,先命名陰離子,再命名陽離子
    尚無統計
  4. D如果該錯合物為一陰離子,採用-ate字尾
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試題 17
請問濃度為 0.5 M 的 NH₃溶液,其 pH 值為何?(NH₃的Kb=1.8×10⁻⁵ )
  1. A2.5
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  2. B8.0
    尚無統計
  3. C10.5
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  4. D11.5
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試題 18

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  1. AA
    尚無統計
  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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試題 19
含有 2 g 溶質的溶液 200 mL,其滲透壓為 3 mmHg (25˚C),依凡特荷夫定律(van’t Hoff’s law) ,請問此溶質的分子量為何?
  1. A 61,905
    尚無統計
  2. B66,005
    尚無統計
  3. C91,308
    尚無統計
  4. D182,715
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試題 20
氮氧化物擴散至高空對流層,受日光照射後造成的污染現象為何?
  1. A細懸浮微粒(PM2.5)
    尚無統計
  2. B倫敦煙霧(London fog)
    尚無統計
  3. C光煙霧(photochemical smog)
    尚無統計
  4. D酸雨(acid rain)
    尚無統計

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試題 21
有關相變化的敘述,下列何者正確?
  1. A同一物質,其莫耳汽化熱小於莫耳熔化熱
    尚無統計
  2. B大氣壓力越高,液體的沸點越低
    尚無統計
  3. C不同液體的莫耳氣化熱相同
    尚無統計
  4. D使一莫耳液體汽化為同溫度的氣體,所需吸收的熱量為莫耳汽化熱(heat of vaporization)
    尚無統計

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試題 22
0.2 M HCl水溶液 1 L,加入純水至體積變為 10⁴ L,請問此時 pH 值為何?
  1. A1.7
    尚無統計
  2. B2.7
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  3. C3.7
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  4. D4.7
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試題 23
一理想氣體在 1 atm 下,由 1.0 L 可逆等壓膨脹到 5.0 L,請問此系統作功為何?
  1. AW= -506 J
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  2. BW= -405 J
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  3. CW= 405 J
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  4. DW= 506 J
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B

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試題 24

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  1. AA
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  2. BB
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  3. CC
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試題 25

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  1. AA
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  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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A

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試題 26

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  1. AA
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  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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試題 27

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  1. AA
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  2. BB
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  3. CC
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  4. DD
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試題 28

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  1. AA
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  2. BB
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試題 29

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試題 30

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試題 31
六方緊密堆積(hexagonal close packing, hcp)結構中,最小單位晶胞(unit cell)的原子數為何?
  1. A2
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  2. B3
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  3. C4
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  4. D6
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試題 32
下列離子化合物中,何者具有最大的晶格能(lattice enthalpy)?
  1. ALiF
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  2. BKF
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  3. CLiI
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  4. DCsI
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試題 33
下列物質何者常壓沸點最高?
  1. ANH₃
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  2. BH₂O
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  3. CHF
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  4. DHCl
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試題 34
有關以 15 族元素摻雜 Si 形成 n 型半導體的敘述,下列何者正確?
  1. A價帶(valence band)中空穴(hole)濃度大增,費米能階(Fermi level)下移
    尚無統計
  2. B費米能階上移,靠近導帶(condution band)
    尚無統計
  3. C能隙(band gap)顯著放大
    尚無統計
  4. D電子遷移率必定下降
    尚無統計

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試題 35
有關緊密堆積結構(close-packed structure)的配位數敘述,下列何者正確?
  1. A立方緊密堆積(ccp)與六方緊密堆積(hcp)的配位數皆為 12
    尚無統計
  2. Bccp 之配位數為 8
    尚無統計
  3. Chcp 之配位數為 6
    尚無統計
  4. Dccp 與 hcp 層序皆為 ABCABC
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試題 36

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試題 37

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試題 38

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試題 39

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試題 40

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試題 41

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試題 42
將 0.10 M HCl(aq) 50.0 mL 與 0.10 M NaOH(aq) 25.0 mL 混合,假設體積具加成性,混合液的 pH 值約為多少?
  1. A1.00
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  2. B1.48
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  3. C7.00
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  4. D12.52
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試題 43

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試題 44

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試題 45

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試題 46

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試題 47
面心立方晶格(face-centered cubic, fcc)結構中,八面體空隙數(octahedral hole)對四面體空隙數 (tetrahedral hole)比為何?
  1. A1:2
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  2. B 1:1
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  3. C 2:1
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  4. D4:1
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  1. AA
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