(110.01.09) ~「初等考試」~「電子學大意」

圖示為某 Vt = 1 V 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region）， 下列有關電壓 VD之敘述，何者正確？

如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vo/vid：

如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出 電壓的影響，試求電路上的電阻 R =？

已知一正弦波經半波整流後之電壓波形 v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？

有一 p 通道接面場效電晶體的 VGS(off) = + 4 V，IDSS=6 mA，則當 VGS = + 6 V 時，此電晶體的 ID為多 少？

在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 VGS未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：

如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？

如圖電路中，將訊號源連接在輸入端 V1和 V2之間，所看到的輸入電阻為 Rin1；將訊號源同時連接在 輸入端 V1和 V2上，所看到的輸入電阻為 Rin2，其值分別為何？

令流入運算放大器輸入端之電流為 Ii，兩輸入端間電壓差為 Vi ，則一個理想反相運算放大器之虛接 地（virtual ground）特性為：

如圖所示之電路，假如 Ao =∞，求此電路之閉迴路增益為何？

圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12V，輸入電壓 vI 為 -2V，則 vO為若干？

雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗 ro，是下列何種效應所造成？

如圖示截波電路，其中輸入信號 vi(t) 為振幅 12 伏特的弦波且 D 為理想二極體，如果要得到峰對峰 電壓值為 16 伏特的輸出信號，則偏壓電源 VR應為多少？

運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：

如圖所示之電路，二極體為理想，若 Vin為一 DC 值為零且振幅為 5V 的正弦波，求最高及最低的 Vout 為何？

稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：

下圖電路中輸入信號為弦波 vi(t)=0.5 sin 10t 伏特，二極體 D1 與 D2 之導通電壓皆為 0.7 V，導通 電阻為 100 Ω。則電壓 vo (t)最大值為多少伏特？

圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7V，導通電阻為 0 Ω，電容 C 兩端之初始電壓為 0V，下列何者正 確？

如圖所示之電路，vin為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓 vout之波形最有可能為下列 何者？

圖示電路中 vI為輸入電壓 vo為輸出電壓，本電路為何種電路？

圖示理想二極體電路中，若輸入 vI為峰對峰值 10 V 的方波，在穩態時下列有關輸出 vO的敘述，何項 正確？

如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V，已知電壓 vs(t)=12 sin(120πt) V、R=2 kΩ。試 問輸出電壓 vO的波形為何？

共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？

如圖所示，射極電阻 RE常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？

若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區 IB = 0.05mA，IE = 5mA，則電流增益為：

電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為 VCC=10 V 及 VBB=1.6 V，R1=1.5 kΩ、R2=50 kΩ， 該放大電路的輸入直流電流 IBQ 約為多少？

藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（β=49），流進基極端的電流為 I = 0.025 mA 時測得輸出交流弦 波信號振幅為 0.5 V，則輸入信號的振幅約為多少？ 其中熱電壓近似為 25 mV。

如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，β 及 R1、R2 均變成原來的 1.5 倍， 電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大 範圍。

若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β =50，爾利電壓（Early voltage, VA）= 10 V， gm = 10 mA/V，熱電壓（thermal voltage）= 25 mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？

圖示電晶體在主動區工作，電晶體的 β＝99，VBE＝0.7 V，則電晶體的集極電壓 VC約為：

在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於 1？

如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞， 則此放大器的電壓增益為何？

如圖所示為以電阻 R=5 kΩ、Rf =7.5 kΩ 及電感 L1 =2 mH、L2 所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪 電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率 ω 約為多少 rad/s？

直接耦合串級放大電路於未耦合前第 1 級放大電路的集極偏壓電流為 1 毫安培（1 mA），如圖決定 耦合後第 2 級放大電路的電壓增益大小（vo/vi2的大小）？其中 Q2之 β2=99 及 VBE,on=0.8 V，熱電壓 VT =25 mV。

如圖為一方波振盪器。若 OP AMP 輸出的上下限為±10 V。R2 = R3、R1C1= 10 ms。求方波的週期？

有 N 級放大器，其中每一級的增益 AoN 和頻寬 ωHN 都完全相同，若該Ｎ級放大器串接在一起且Ｎ為 有限值；試問其總頻寬 ωH相較於單一級放大器的頻寬 ωHN，下列敘述何者正確？

如圖雙穩態電路，其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 16 kΩ，若在 t = 0 時輸出電壓 Vo飽和在-13 V；當在 t > 0 時， 輸入電壓 vI < -5V，輸出電壓 Vo會在什麼狀態？

圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益 A = 4，MOSFET 之轉導 gm = 66.67 μA/V， 電容 C = 4.59 nF，則電路之振盪頻率約為多少？

如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容約為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？

在 BJT 電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下 列何者？