(111.01.08) ~「初等考試」~「電子學大意」

某增強型NMOS 場效電晶體的Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 50 μA/V2，今若其電壓VGS = 2 V，則其轉導gm （Transconductance）為若干μA/V?

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。試研判輸出接腳VO 在低準位輸出（VO@LO）時最可能的工作電壓：

對於一個PN 接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？

如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求vid/i：

如圖所示為一NMOS 構成的放大器。VDD = 3 V，電晶體之小信號μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10，Vt = 0.5 V。電流源非完全理想，有一值為20 kΩ 的內阻。求小信號增益vo/vi：

雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？

下列何種矽電晶體具有常閉型通道？

有一半波整流器的輸入電壓峰值為10 V，則其輸出電壓的峰值大約為：

有一增益為A = 10000，單極頻率（single pole frequency）為105 rad/s 之放大器，將其置入回饋因素 （feedback factor）f = 0.01 的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain）， 則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為：

如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若Ri = 20 kΩ， Rf = 200 kΩ，R1 = 1.5 kΩ，C1 = 0.02 μF，則此電路的截止頻率fCH 為多少？

有一N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓VP = - 4 V，且源極電壓VS = 0 V， 則下列那一個 條件可使此JFET 工作於飽和區？

關於BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？

橋式全波整流電路的輸入信號：vi(t) = 18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？

下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω。電阻值R = 10 Ω。若vi (t) = 3 sin 10t伏特。則vo (t)的最小值為何？

下圖中二極體D1 與D2 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波，vi (t) = 4 sin 10t 伏特，R1，R2，R3 皆為 10 Ω，則電流| i | 之最大值為何？

如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，則二極體D2 之逆向峰值電壓（PIV）為何？

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω，若Vi ＝ + 5V，關於下列電路之敘述，何者正確？

如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m 表斜率）

如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？

如圖電路，設二極體均為理想二極體，R = 10 kΩ，R1 = R2 = 5 kΩ，V1 = V2 = 5 V。當vI= 8 V 時，vO為多大？

圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m 表斜率）

電路上某npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8 V，下列何者正確？

某β = 100 之npn 雙極性接面電晶體，若IB = 10 μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？

假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（vo/vi）為何？電晶體之μnCox = 500 μA/V2，W/L = 100，VTH = 0.6 V，VGS = 0.8 V。

於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？

下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？

雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：

矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：

關於雙載子電晶體（BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？

圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（vo）正半週的最大擺幅恰為5 V 時，電阻R 約為多少？電晶體基-射極的導通定電壓固定為0.8 V。

如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一3.5 kΩ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為0.8 V 下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？

圖示PMOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt ＝ -0.5 V，若RG1 ＝ 3 MΩ、RG2 ＝ 2 MΩ、VDD ＝ 5 V，欲電晶體在飽和區工作，電壓VD 的最大值應為若干伏特？

如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知Vf 的電壓值為8 伏特，此電路中流過電阻器R 的電流絕對值取其最大與最小值分別以I1 和I2（單位mA）表示之，則下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA 之電壓為± 16 V。

有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？

某電路之轉移函數： ( ) 10 10 T s s s   ，當角頻率為10 rad/sec 時，相角為何？

圖示MOS 電路，vi 為輸入電壓，vo 為輸出電壓，本電路主要作用為何？

圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±12 V，R1 = 10 kΩ、R2 = 40 kΩ，輸出電壓vO 原為-12 V，輸入電壓vI 為下列何電位時，輸出vO 將為+12 V？

有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？

如圖電路，已知輸出vo 的飽和電壓在±10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = 1 MΩ；若在電容器C 旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7 V，則輸出電壓vo 會在什麼狀態？

如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且3 dB 頻率為7.07 × 105 rad/s，當電阻R 為5 kΩ 時，所需的電容C 值為何？