113年初等考-電子學大意

有關積體電路 28 奈米半導體製程技術，這裡所指的 28 奈米製程，為下列何種尺寸？

下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？

室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 10¹⁵ cm-³，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？

下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？

雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為 A，基-集極空乏區厚度為 B， 則其大小關係下列何者正確？

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？

承上題，電容 C 接於電阻 R₁ 和運算放大器負輸入端之間。Vᵢ 電壓為極高頻時，V₀ /Vᵢ 值趨近於下列 何者？

不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？

有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？

若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列敘述何者正確？

有關BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？

有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？

555 計時器的內部有一個RS 正反器。下列關於此RS 正反器的敘述何者錯誤？

當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？