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112年國安特考-五等電子學大意

112年國安特考-五等電子學大意五等11260 分鐘40100
試題 1
相較於 Si、GaAs 半導體材料,SiC、GaN 具備下列何種特性?
  1. A窄能隙
    尚無統計
  2. B低遷移率
    尚無統計
  3. C高崩潰電壓
    尚無統計
  4. D低導熱率
    尚無統計

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試題 2
有關矽二極體材料之敘述,下列何者錯誤?
  1. A施體(Donor)雜質具有 5 個價電子
    尚無統計
  2. B經過摻雜(Doping)處理的半導體稱為本質(Intrinsic)半導體
    尚無統計
  3. C N 型材料的多數載子是電子
    尚無統計
  4. D P 型材料的少數載子是電子
    尚無統計

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B

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試題 3
下列何種情況元件的整體阻抗較低,易有較大電流發生?
  1. A偏壓為零的二極體
    尚無統計
  2. B絕緣體
    尚無統計
  3. C順向偏壓且超過切入(cut-in)電壓的二極體
    尚無統計
  4. D逆向偏壓二極體
    尚無統計

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試題 4
NPN 雙極性接面電晶體之特性,下列敘述何者正確?
  1. A集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,也同時高於射極的主要載子濃度
    尚無統計
  2. B集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,但是卻低於射極的主要載子濃度
    尚無統計
  3. C集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值,但是卻高於射極的主要載子濃度
    尚無統計
  4. D集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值,也同時低於射極的主要載子濃度
    尚無統計

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D

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試題 5

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試題 6

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試題 7

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試題 8
下列有關「絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)」之特性敘述何者錯誤?
  1. A具有雙極性接面電晶體(BJT)的輸出特性
    尚無統計
  2. B與金氧半場效電晶體(MOSFET)相同,為電壓控制電流源元件
    尚無統計
  3. C其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極
    尚無統計
  4. D相較於雙極性接面電晶體(BJT)而言,其切換速度較慢
    尚無統計

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試題 9

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試題 10
一低通濾波器,若時間常數很大時,此濾波器可作為下列何種應用?
  1. A微分器
    尚無統計
  2. B積分器
    尚無統計
  3. C高通濾波器
    尚無統計
  4. D帶通濾波器
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試題 11

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試題 12
中間抽頭式全波整流器有幾個二極體?
  1. A 1 個
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  2. B 2 個
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  3. C 3 個
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  4. D 4 個
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試題 13
有關 PN 接面二極體,下列敘述何者正確?
  1. A順向偏壓時,空乏區寬度變小
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  2. B逆向偏壓時,PN 接面不會有電流存在
    尚無統計
  3. C空乏區中沒有電場的存在
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  4. D逆向偏壓時,空乏區寬度變小
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試題 14

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試題 15
電容濾波電路中,下列何種狀況可以使輸出漣波電壓降到最小?
  1. A增大負載電阻、提高電容值
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  2. B增大負載電阻、降低電容值
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  3. C降低負載電阻、提高電容值
    尚無統計
  4. D降低負載電阻、降低電容值
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試題 16
使用下列何種電路可以獲得最小的漣波電壓?
  1. A半波整流電路
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  2. B橋式全波整流電路
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  3. C半波整流濾波電路
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  4. D橋式全波整流濾波電路
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試題 17

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試題 18

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試題 29
有關共閘極放大器電路之特性,下列敘述何者錯誤?
  1. A優良的高頻響應特性
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  2. B具有很大的輸入電阻
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  3. C輸出電壓與輸入電壓同相
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  4. D電流增益值接近1
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試題 30

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試題 31
在變壓器耦合串級放大器中,變壓器繞組的層間電容會影響放大器的頻率響應的何種部分?
  1. A高頻響應
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  2. B低頻響應
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  3. C中頻響應
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  4. D全頻響應
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試題 32

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試題 33
有一圈數比為 1:1 的耦合變壓器擬作為阻抗匹配和最大功率轉換,如果連接變壓器初級側的系統阻 抗為 A+jB,連接在次級側的負載端阻抗 X+jY,應如何設計才能獲得最大功率轉換?
  1. A X=A,Y=B
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  2. B X=A,Y= -B
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  3. C X= -A,Y= -B
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  4. D X= -A,Y= B
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試題 34
下列何者與正弦波振盪電路無關?
  1. A具有正回授電路結構
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  2. B由回授電路決定振盪的頻率
    尚無統計
  3. C在振盪的頻率上,電路的閉迴路增益(closed-loop gain)將變得無窮大
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  4. D其閉迴路增益始終為線性函數
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試題 36

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試題 38
在高純度矽半導體中摻雜元素「砷(As)」之目的為何?
  1. A增加少數載子
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  2. B增加導電性
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  3. C增加電洞數量
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  4. D增加電阻值
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試題 40

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